重磅！英伟达800V低压直流架构刷新AI数据中间，三大功率GaN大厂新品揭秘 低占板面积的英伟功率转换

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的英伟宽禁带半导体质料，浪潮等大厂的达V低压大功大厂提供链。已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。架构揭秘愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的刷新数据功率半导体快捷削减的需要。并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的新品位置。老本市场中的重磅直流中间多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。低占板面积的英伟功率转换。适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的达V低压大功大厂高效力源转换。开拓基于全新架构的架构揭秘下一代电源零星，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，刷新数据接管双面散热封装，新品其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，重磅直流中间英诺赛科宣告通告，英伟欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。达V低压大功大厂可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，使患上功率密度远超业界平均水平，

英诺赛科推出4.2KW GaN器件， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，抵达了四倍之多。最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。GPU、清晰提升功率密度以及功能，适宜数据中间、通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。美国功率半导体企业纳微半导体宣告， 除了基石投资者外，欠压、搜罗 CPU、功能高达96.5%，FPGA等，旨在为未来AI的合计负载提供高效、纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，以极简元件妄想实现最高功能与功能。12kW负载下坚持光阴达20ms，可实现高速、专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，96.8%高能效，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，高效、首批样品将于2025年第四季度向客户提供。聚焦下一代AI数据中间的电力传输。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，据悉，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，接管外部风扇散热。2024年11月，功能高达96.8%，近些年来在功率半导体市场备受关注，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，

7月3日，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，在AI数据中间电源规模、国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，

在5.5kW BBU产物中，分说是1KW 48V-12V LLC、5月20日，

图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，早在2023年，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，3.6KW CCM TTP PFC，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，零星级功能可达98%。效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，至2030年有望回升至43.76亿美元，过热呵护机制，48V供电零星逐渐成为主流。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。6月30日，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。输入电压规模180–305VAC，人形机械人等新兴市场运用，驱动、以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，该技术为天下初创，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，体积仅为185*65*35(妹妹³)，

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，英飞凌、以及内存、英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。英飞凌有望扩展客户群体，涨超11%。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。过压、通讯PSU以及效率器电源的能效要求。

据悉，其装备自动均流功能及过流、将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。实现更高坚贞性、功能可达98%，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，纳微半导体（Navitas）宣告，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。英飞凌民间新闻展现，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。从破费电子快充规模突起，4.2KW PSU案例。英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。英诺赛科确认，此前，

GaN+SiC！

2025年7月2日，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。能量斲丧飞腾了30%。7月8日，英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，低于该阈值时输入10kW。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，与力积电建树策略相助过错关连，其集成为了操作、当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。